Наскоро се появиха слухове, че по настояване на Nvidia тайванската компания TSMC е проучвала възможността за производство на 3D DRAM чипове памет. Интересът към тази технология нарасна успоредно с рязкото увеличаване на търсенето на хардуер за изкуствен интелект, което доведе до глобален недостиг и повишаване на цените на DRAM паметите.
Реализирането на подобен проект би могло да открие ново бизнес-направление за TSMC и значително да засили позицията ѝ във веригата за доставки за сферата на изкуствения интелект. Компанията обаче подчерта, че е специализирана изключително в производството на логически чипове и възнамерява да продължи да следва тази стратегия – с което на практика опроверга слуховете.
„Бихме искали да подчертаем, че TSMC остава фокусирана върху основната си дейност: договорното производство на интегрални схеми. Нашата мисия е да продължим да бъдем надежден дългосрочен технологичен партньор и доставчик на производствени мощности за световната индустрия за логически чипове“, заявиха от компанията пред Tom’s Hardware.
Преди това The Information, позовавайки се на два независими източника, съобщи, че TSMC е започнала подготовка за производство на 3D DRAM в отговор на искане от страна на Nvidia, най-големия ѝ клиент. Според информацията, проектът се ръководи от Хсу Куо-чин, вицепрезидент в TSMC, отговарящ за технологиите за усъвършенствано капсулиране, който преди това е оглавявал тайванското подразделение на Micron.
На световния пазар възникна остър недостиг на чипове за памет. Тези компоненти се превърнаха от стандартна стока в стратегически важен ресурс – такъв, който днес определя дали една компания ще успее да достави продуктите си до крайните потребители.
TSMC работи в тясно сътрудничество с производителите на DRAM, като интегрира чипове памет в решения от типа „система в корпус“. Компанията обаче не разполага нито с експертния опит, нито с производствения капацитет, необходими за самостоятелното производство на DRAM – нито за по-сложната технология 3D DRAM.
Дори водещите производители на памети все още са далеч от масовото производство на 3D DRAM, а подобна стратегия не би решила проблема с недостига на памети поне през следващите пет години.
За разлика от традиционната DRAM памет, при която клетките са разположени в една равнина, при 3D DRAM те са подредени вертикално в няколко слоя, което увеличава капацитета върху една силициева пластина.
Трите водещи световни компании на пазара за памети – Micron, Samsung и SK hynix – в момента разработват свои собствени 3D DRAM технологии. Макар TSMC да притежава забележителни възможности за производство на логически чипове, евентуалното навлизане в производството на DRAM памети би изисквало изцяло нови, специално създадени процеси – разработени от нулата.
3D DRAM изисква коренно различни методи на изработка, включващи създаване на множество слоеве от клетки памет, като същевременно се поддържа строг контрол върху дефектите и се осигурява приемлив процент успеваемост (процент годни чипове).
Разработването на процес за 3D DRAM без наличието на конкурентна технология за производство на планарни DRAM памети е практически невъзможно, а TSMC към момента не разполага с такава технология.
